詳細摘要: 產品用途與特點:1、本產品利用低能量平行Ar﹢離子束對基片表面進行轟擊,將基片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出,從而達到選擇刻蝕的目的
產品型號:所在地:海口市更新時間:2023-06-29 在線留言
中普尼實業集團(海南)有限公司
詳細摘要: 產品用途與特點:1、本產品利用低能量平行Ar﹢離子束對基片表面進行轟擊,將基片表面未覆蓋掩膜的部分濺射出,從而達到選擇刻蝕的目的
產品型號:所在地:海口市更新時間:2023-06-29 在線留言詳細摘要: 產品用途與特點:1、本產品通過物理與化學相結合的方法,對亞微米一下線條進行干法刻蝕,以形成精細圖形
產品型號:所在地:海口市更新時間:2023-06-29 在線留言詳細摘要: 反應離子刻蝕設備CPN-H67-12A型:該設備主要用于半導體集成電路制造中氮化硅、多晶硅、二氧化硅的干法刻蝕;而且還能刻蝕鉻、氧化鉻、鋁等
產品型號:所在地:海口市更新時間:2023-06-29 在線留言詳細摘要: 本設備是為淀積設備配套而設計的,主要用于半導體集成電路制造過程中對氮化硅、多晶硅的干法腐蝕;而且還能刻蝕二氧化硅、鉻、氧化鉻等各種介質膜和金屬膜
產品型號:所在地:海口市更新時間:2023-06-29 在線留言詳細摘要: 產品用途與特點1、本設備可在硅片、陶瓷、玻璃、石英、金屬等材料表面沉積SIOx、SINx、非晶硅、微晶硅、納米硅、SIC、類金剛石等多種薄膜,并可沉積摻雜薄膜
產品型號:所在地:海口市更新時間:2023-06-29 在線留言您感興趣的產品PRODUCTS YOU ARE INTERESTED IN
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