北京金盛微納科技有限公司
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本產品是利用低能量平行Ar+離子束對基片表面進行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理
本產品是利用低能量平行Ar+離子束對基片表面進行轟擊，表面上未被掩膜覆蓋部分的材料被濺射出，從而達到選擇刻蝕的目的，它采用純物理的刻蝕原理。離子束刻蝕是目前所有刻蝕方法中分辨率，陡真性方法，它可以對所有材料進行刻蝕，例如：金屬、合金、氧化物、化合物、混合材料、半導體、絕緣體、超導體等。
詳細描述
本產品采用口徑φ200mm考夫曼型離子源，通過結構的雙鉬柵離子光學系統及SHAG技術保證在φ150mm范圍內束流的均勻性為±5%，電子中和系統可使樣片上的電荷積累為零。
本設備的刻蝕工作臺可繞工作中心自轉，離子束入射角可在0～90°之間任意調整。
本設備具有刻蝕速率穩定、均勻性好、重復性好等特點，可廣泛應用于微電子、光電子、通訊等領域的器件研發和制造。
自動控制系統采用工控計算機及PLC控制、觸摸顯示屏操作，實現真空系統及工藝過程自動化。本機可選擇全自動及非全自動模式。
產品主要性能指標
型號 | IBE-200Z |
真空系統 | 分子泵機組 |
刻蝕室數量 | 單刻蝕室 |
刻蝕室規格 | 435×406×490mm |
工作臺尺寸 | ?200mm（片徑≤6英寸） |
離子束入射角 | 0～90°之間任意調整 |
刻蝕速率 | 100?～2000?/min（與刻蝕材料和工藝有關） |
刻蝕不均勻性 | ≤±5% |
Ar+離子能量范圍 | 100～1000eV，連續可調 |
離子束流密度 | 0～1mA/cm2，連續可調 |
有效離子束直徑 | ≥?100mm（屏柵極直徑?150mm） |
電子中和 | 帶有熱絲結構的電子中和裝置 |
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