杭州華盼科技有限公司
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簡要描述：無
G-CVD 石墨烯化學氣相沉積系統
石墨烯（Graphene）自2004年發現以來，在短短數年間已經成為凝聚態物理、化學、材料科學等領域研究中倍受矚目的“明星材料”。
化學氣相沉積（CVD）是目前制備石墨烯的較有效、也是較具研究價值的方法。搭建一套完整而高效的石墨烯化學氣相沉積系統并非易事，即使在系統搭建完成后，要真正制備出單層石墨烯，還需要較長時間的參數優化。這往往使得科研人員錯過了較佳的研究時機。
G－CVD石墨烯化學氣相沉積系統由廈門烯成新材料科技有限公司與國內石墨烯研究機構合作開發，提供完整的石墨烯生長系統，同時提供石墨烯轉移及測試的解決方案。 G-CVD系統兼容真空及常壓兩種主流的生長模式，采用計算機自動控制，系統內置了多種制備石墨烯的生長參數，用戶只需簡單操作，就可以輕松的制備出高質量的石墨烯。采用該系統，可以制備出毫米尺寸的石墨烯大單晶，也可以制備出數十厘米尺寸的石墨烯連續薄膜，還能生長13C同位素石墨烯。將為科研人員提供大量的研究機會，以及為實現各種科學想法創造了條件。
G－CVD 還可用于生長制備碳納米管，二硫化鉬等低維納米材料。
主要特點：
◆ 兼容真空及常壓 兩種主流的生長模式
G-CVD 系統是一套完備的石墨烯制備系統，包括硬件和軟件部分。工作在常壓氣氛或真空條件，通過控制，可以在 10-3 Torr ~ 760 Torr 之間的任意氣壓下進行石墨烯的生長。既可以生長出六邊形的石墨烯單晶，也可以生長出花瓣狀的石墨烯的單晶。
◆ 計算機自動控制，內置多種生長參數
整個石墨烯生長過程的重要參數由計算機進行精確控制，包括溫度、氣體流量等。控制軟件內置多種生長優化參數，用戶僅需將襯底放入樣品腔，即可開始生長。
◆ 制備高質量石墨烯單晶，單晶尺寸可達數毫米
采用特殊優化的生長條件，可以得到尺寸達數毫米的單疇單晶。在多晶薄膜方面，可以制備得到數十厘米尺寸的單層石墨烯薄膜。
◆ 生長 C 13C 同位素石墨烯，研究石墨烯生長動力學過程
G-CVD 系統有 13C 同位素選項，交替生長不同同位素石墨烯， 用于研究石墨烯生長的動力學過程。
系統參數 ：
樣品腔
溫度范圍：室溫-1200 度
功率：2.5 -4.8kW
末端口：不銹鋼法蘭接口，外置水冷卻
進樣方式：手動
生長氣體
Ar：純度 99.999%以上，40L，配惰性氣體減壓閥，流量 0-1000 sccm；
H2：純度 99.999%，40L，配氫氣減壓閥，流量 0-200sccm（其它量程可選）
CH4：純度 99.999%，40L，配減壓閥，流量 0-10sccm(其它量程可選)；
13CH4：純度 99% (1%為 12CH4)，10L，配專用減壓閥，流量 0~10 sccm (同位素選件)；
機械泵
抽速 400L/min,極限真空 1×10-3 Torr
液氮冷阱：用于獲得更高真空（可選配件）
過壓泄氣保護：大于 760Torr,自動開啟
真空調節裝置：調節樣品腔內的氣壓，手動（自動控制式可選）
控制模塊
溫度、氣流及真空采用計算機控制，其中部分功能也可以采用手動控制。計算機實時控制和顯示所有與生長有關的實驗參數， 自動保存實驗參數， 給實驗帶來極大的方便，并提高實驗的精確性。
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